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PD -93992A
IRF1405S
AUTOMOTIVE MOSFET
Typical Applications
Electric Power Steering (EPS)
IRF1405L
HEXFET ? Power MOSFET
Anti-lock Braking System (ABS)
Wiper Control
Climate Control
D
V DSS = 55V
Power Door
Benefits
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
G
S
R DS(on) = 5.3m ?
I D = 131A ?
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Stripe Planar design of HEXFET ? Power MOSFETs
utilizes the lastest processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. Additional
features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C
junction operating temperature, fast switching speed
and improved repetitive avalanche rating. These
benefits combine to make this design an extremely
efficient and reliable device for use in Automotive
applications and a wide variety of other applications.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
D 2 Pak
IRF1405S
Max.
TO-262
IRF1405L
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
131 ?
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ?
93 ?
680
200
1.3
± 20
590
See Fig.12a, 12b, 15, 16
5.0
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf?in (1.1N?m)
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount) ?
–––
–––
0.75
40
°C/W
www.irf.com
1
12/07/04
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